Procédé de production d'un transistor à effet de champ et masque de transfert d'un motif à y utiliser.

Abstract

L'invention concerne un masque de transfert d'un motif à utiliser dans un procédé d'exposition optique. <BR/> Selon l'invention, il comprend un substrat transparent (6) ayant une surface, un film de protection de la lumière d'un motif souhaité (7a) disposé sur la surface du substrat transparent (6), pour protéger une partie du film en vernis photosensible de la lumière transmise à travers le masque et incidente sur le film et transférer le motif souhaité à ce film et un certain nombre de protubérances (7b) disposées à des intervalles égaux de chaque côté du motif du film (7a), contactant ce motif, pour réduire l'intensité de la lumière transmise à travers une région du substrat transparent (6) où se trouvent les protubérances (7b). <BR/> L'invention s'applique notamment à la fabrication des transistors à effet de champ.

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    Patent Citations (3)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      EP-0104094-A1March 28, 1984Fujitsu LimitedProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur utilisant une matière de réserve sensible au rayonnement
      EP-0273392-A2July 06, 1988International Business Machines CorporationMehrschichtstruktur und Herstellungsverfahren
      JP-S63169076-AJuly 13, 1988Nec CorpManufacture of semiconductor device

    NO-Patent Citations (6)

      Title
      ANONYMOUS: "Dual Density Mask for Photoresist.", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 19, no. 12, NEW YORK, US, pages 4539
      ANONYMOUS: "Image Reversal Lift-Off Process.", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 24, no. 10, NEW YORK, US, pages 5063
      ANONYMOUS: "MESFETs with Self Aligned Refractory Contacts.", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 35, no. 3, NEW YORK, US, pages 191 - 192
      LOPEZ E ET AL: "Fabrication of high aspect ratio symmetric and asymmetric T-shaped gates for high frequency pseudomorphic HEMTs", INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROLITHOGRAPHY, CAMBRIDGE, UK, 26-28 SEPT. 1989, vol. 11, no. 1-4, ISSN 0167-9317, MICROELECTRONIC ENGINEERING, APRIL 1990, NETHERLANDS, pages 105 - 108
      PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 012, no. 435 (E - 683) 16 November 1988 (1988-11-16)
      SONODA T ET AL: "High-efficiency and highly reliable 20 W GaAs power field-effect transistor in C band", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, PART 1 (REGULAR PAPERS & SHORT NOTES), AUG. 1992, JAPAN, vol. 31, no. 8, ISSN 0021-4922, pages 2374 - 2381

    Cited By (0)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle